新品推荐 | 欧姆龙高电压SiC MOSFET继电器G3VH

随着新能源汽车、储能系统、光伏发电，以及宽禁带半导体测试设备向更高电压发展，传统继电器在耐压、体积、响应速度和使用寿命等方面面临新的挑战。针对高压电源切换、绝缘检测和测试测量等应用需求，欧姆龙推出了高电压SiC MOSFET继电器G3VH系列，可实现最高3300V的负载电压，为1000V以上高压系统提供更加紧凑的固态开关方案。

来源：欧姆龙，下同

G3VH系列内部采用背靠背SiC MOSFET结构，并集成光电隔离驱动电路，在DIP6封装内实现高电压开关功能。相比传统机械式继电器，该系列没有机械触点和电弧问题，具备更小的封装尺寸、更快的响应速度以及更长的开关寿命。同时，SiC MOSFET具有较高的耐高温能力和高dV/dt承受能力，能够适应高压、高频及快速电压变化环境。

G3VH系列主要特性

欧姆龙G3VH系列目前包括1800V和3300V两种负载电压等级，产品型号分别为G3VH-181和G3VH-331。其中，G3VH-181系列最大连续负载电流为30mA，最大脉冲导通电流为80mA，输出导通电阻典型值为120Ω；G3VH-331系列最大连续负载电流可达300mA，最大脉冲导通电流为900mA，输出导通电阻典型值为3.5Ω。

图：G3VH系列的型号标准与种类（来源：欧姆龙）

响应速度方面，由于天然较低的内部电容，该系列继电器可在高速条件下，实现快速，高效的开关动作，其中，G3VH-181系列导通时间为1ms，G3VH-331系列导通时间为2ms，两个系列的关断时间均可在0.2ms以内。较快的开关响应速度有助于系统及时执行保护、隔离和检测指令，也能够缩短自动化测试设备（ATE）的测试周期。

绝缘性能方面，G3VH系列输入输出间耐电压达到5000Vrms，输入输出间电容典型值仅为1.3pF，能够降低控制侧与高压负载侧之间的耦合影响。产品采用1a常开触点结构，支持DIP6针印刷电路板端子和DIP6针表面安装端子两种形式，便于根据电路板设计和生产工艺进行选择。

此外，G3VH-181系列推荐工作温度范围为-40～105℃，G3VH-331系列推荐工作温度范围同样覆盖-40～85℃；在合理降额条件下，可满足多种工业设备和测试设备的长期运行需求。产品已通过UL认证，目前处于量产状态，且提供表面贴装和通孔封装两种形式。

主要应用场景：面向高压检测与测试应用

G3VH系列的连续负载电流相对有限，因此其定位并非替代大电流主功率继电器，但由于SiC天然具备高dV/dt耐受能力，即使在严苛条件下也能确保稳定开关，同时MOSFET还可承受高工作温度与热应力，在各类环境中实现长循环寿命。因此，更适合应用于高压系统中的信号切换、绝缘检测、故障检测和测试通道控制。

其主要应用场景包括工业驱动、自动化设备、光伏与风力发电系统、储能设备，以及面向高压宽禁带功率半导体的自动化测试设备等场景。对于需要在有限PCB空间内实现高压隔离与快速切换的系统设计，G3VH能够减少外围机械继电器及相关驱动电路，有利于推动设备向小型化、轻量化和高可靠性方向发展。

其中，在BMS和储能系统中，G3VH可用于电池包绝缘监测、接地故障检测以及高压回路状态判断。随着电池系统电压不断提升，检测电路需要在保证控制端安全隔离的同时承受更高的电压，G3VH能够为此类应用提供小型化的高压开关选择。

在半导体检查装置中，G3VH可用于高压SiC、GaN功率器件的耐压测试、漏电流检测和测试路径切换。其高耐压、低寄生电容和快速响应特性，有助于提升测试系统的稳定性和测试效率。

总体来看，欧姆龙G3VH系列将SiC MOSFET的高耐压、高温稳定性与MOSFET继电器的光电隔离、小型化优势结合起来，重点解决1000V以上高压系统中的检测、隔离和测试开关需求。对于高压BMS、宽禁带功率半导体测试设备以及新能源电力电子系统开发者而言，G3VH是一款值得关注的高电压固态继电器产品。